德國(guó)紐倫堡，2025年5月6日——全球電力電子行業(yè)年度盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡展覽中心盛大開幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，賽晶半導(dǎo)體攜多款前沿產(chǎn)品及解決方案亮相展會(huì)（展位號(hào)：Hall 7, Booth 479），展示了其在碳化硅（SiC）、IGBT及功率模塊領(lǐng)域的最新突破，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。
聚焦創(chuàng)新：重磅產(chǎn)品與技術(shù)全球首發(fā)
本屆展會(huì)上，賽晶半導(dǎo)體首次向全球發(fā)布了一款核心產(chǎn)品，即：m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片,彰顯其強(qiáng)勁的技術(shù)研發(fā)實(shí)力：
在光伏和儲(chǔ)能領(lǐng)域，SiC（碳化硅）半導(dǎo)體技術(shù)因其獨(dú)特的材料特性，在高壓、高頻、高溫應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。1400V SiC器件能夠更可靠地應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能2000V系統(tǒng)的高壓場(chǎng)景，提高系統(tǒng)功率密度及能量轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本。
1400V SiC技術(shù)通過高效率、高壓耐受性、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，成為推動(dòng)光伏和儲(chǔ)能2000V系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵。隨著成本下降和國(guó)產(chǎn)化加速，SiC將進(jìn)一步賦能高壓系統(tǒng)的降本增效，并在可再生能源領(lǐng)域占據(jù)更核心的地位。
展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，賽晶還展示了m23 1200V,100A SiC power MOSFET芯片、i23 1200V, 150A-300A micro pattern lGBT 300mm芯片、i23 1700V, 300A micro pattern lGBT 200mm芯片、i20 1200V 100A-250A fine pattern IGBT 300mm芯片以及其他模塊系列產(chǎn)品，吸引眾多國(guó)內(nèi)外客戶駐足交流。
技術(shù)對(duì)話：共謀能源轉(zhuǎn)型新路徑
展會(huì)同期，賽晶半導(dǎo)體的四位技術(shù)專家受邀出席高峰論壇，各自向與會(huì)者分享了自己最新研發(fā)成果：
Sven Matthias
論文標(biāo)題：
《面向62mm功率模塊的自動(dòng)化優(yōu)化設(shè)計(jì)：性能與可靠性提升》
"Automation-Optimized Design for 62mm Power Modules: Enhanced Performance and Reliability"
核心內(nèi)容：
本文針對(duì)經(jīng)典的 62 mm IGBT 模塊提出了一種超緊湊基板設(shè)計(jì)和自動(dòng)化友好型組裝工藝，從而提高了電氣性能和可靠性。該設(shè)計(jì)通過在三維空間實(shí)施柵極軌道，最大限度地減少了柵極連接空間，從而最大限度地?cái)U(kuò)大了功率器件的空間。緊湊的集成實(shí)現(xiàn)了 Ls = 10 nH 的低內(nèi)部雜散電感，并降低了連接電阻。這種方法提高了功率密度，同時(shí)改善了制造自動(dòng)化并確保了穩(wěn)健的電氣連接。結(jié)構(gòu)和電氣特性測(cè)試證實(shí)了模塊的完整性和可靠性，功率循環(huán)和開關(guān)性能測(cè)試則驗(yàn)證了模塊的大電流處理能力。所提出的設(shè)計(jì)大大提高了性能和制造效率，使其成為下一代電力電子器件的有力候選者。
Nick Gilles Schneider
論文標(biāo)題：
《采用新型微溝槽柵IGBT的900A 1200V ED模塊：局部載流子限制控制技術(shù)》
"900 A 1200 V ED Module with New Micro pattern Trench lGBT Featuring Local Carrier Confinement Control"
核心內(nèi)容：
新型SwissSEM 900A/1200V ED型模塊采用了具有先進(jìn)電流密度的微溝槽IGBT芯片組。相較于上一代產(chǎn)品，該模塊在關(guān)斷損耗相近的情況下，將集射極飽和電壓（VCE,sat）降低了近400mV。文中提出了微溝槽IGBT的局部載流子限制控制技術(shù)（LCT），并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其優(yōu)勢(shì)。反向續(xù)流二極管經(jīng)過優(yōu)化，在恢復(fù)損耗不變的情況下，正向壓降（VF）降低了250mV。此外，二極管與IGBT均展現(xiàn)出極高的魯棒性，并具有優(yōu)異的開關(guān)軟特性。
此外，Raffael Schnell和Roger Stark也分別以《搭載i23微溝槽柵芯片組的高性能IGBT模塊》和《基于應(yīng)用場(chǎng)景運(yùn)行溫度的SiC MOSFET單元布局優(yōu)化》為主題，分享了其最新技術(shù)成果，與會(huì)專家對(duì)賽晶半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新表示高度認(rèn)可，多家企業(yè)及高校研發(fā)中心均前往賽晶展臺(tái)主動(dòng)接洽合作意向。
PCIM Europe 2025不僅是技術(shù)展示的平臺(tái)，更是推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型的加速器。賽晶半導(dǎo)體通過前沿產(chǎn)品發(fā)布與技術(shù)成果分享，再次印證了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來，公司將持續(xù)深耕碳化硅與IGBT技術(shù)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體高端化進(jìn)程，并與全球合作伙伴共建綠色能源生態(tài)，助力“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。
中國(guó)組展機(jī)構(gòu)：盈拓展覽，專注出境展覽服務(wù)，以精準(zhǔn)的市場(chǎng)定位和良好的行業(yè)口碑，成為中國(guó)出境展覽服務(wù)行業(yè)的佼佼者。
下屆展會(huì)時(shí)間：2026年06月09號(hào)~06月11號(hào)
展會(huì)行業(yè)：電子
