前沿技術(shù)閃耀行業(yè)新創(chuàng)新
在剛剛落幕的 PCIM Europe 2025 展會(huì)上，安邦半導(dǎo)體不僅展示了其在傳統(tǒng)半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，更憑借創(chuàng)新技術(shù)帶來了諸多令人矚目的新產(chǎn)品，為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
On-site review
高效節(jié)能的功率二極管與整流橋
安邦半導(dǎo)體在功率二極管和功率整流橋方面進(jìn)行了技術(shù)革新，采用了先進(jìn)的制造工藝和材料，大幅提升了產(chǎn)品的能效比。這些新型功率二極管和整流橋在相同功率等級(jí)下，損耗更低，散熱性能更優(yōu)，其熱損耗降低了 20%，能夠有效降低系統(tǒng)能耗，顯著提高了設(shè)備的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。
高性能功率 MOSFET
安邦半導(dǎo)體展示了其最新研發(fā)的高性能功率 MOSFET 系列產(chǎn)品。這些 MOSFET 采用了優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，具備更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度和更強(qiáng)的抗干擾能力。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，能夠顯著降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的功率密度和動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。
特別值得一提的是，其中一款專為電動(dòng)汽車充電樁設(shè)計(jì)的功率 MOSFET，其高頻開關(guān)性能優(yōu)異，能夠在高電壓、大電流的復(fù)雜工況下穩(wěn)定工作，為充電樁的小型化、高效化提供了有力支持。
創(chuàng)新專利-TVS 小封裝大功率
1. ?小封裝,大功率:?完成業(yè)界未有的雙晶粒封裝,并取得相同封裝雙倍功率的創(chuàng)新專利.
2. ?高壓延伸到800V:?在高壓應(yīng)用上此TVS可保護(hù)后端高價(jià)值的電路設(shè)備,如逆變器或是電源供應(yīng)器的一次側(cè)高壓保護(hù).
3. ?高可靠性的封裝結(jié)構(gòu):?新產(chǎn)品使用了4點(diǎn)焊接工藝,在高溫可靠性上的表現(xiàn)優(yōu)于業(yè)內(nèi)的2點(diǎn)式焊接工藝。
可靠的小信號(hào)二、三極管
在小信號(hào)二、三極管領(lǐng)域，安邦半導(dǎo)體注重產(chǎn)品的可靠性和一致性。通過嚴(yán)格的質(zhì)量控制，安邦二、三極管在高頻、低噪聲、高增益等方面表現(xiàn)卓越。這些小信號(hào)器件廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，為各種精密電路提供了穩(wěn)定可靠的信號(hào)放大和切換功能。
在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，安邦半導(dǎo)體還展示了其小信號(hào)二、三極管的高精度匹配技術(shù)，能夠滿足高端電子產(chǎn)品對(duì)信號(hào)處理精度的苛刻要求。
SiC Diode 與 SiC MOSFET?
安邦半導(dǎo)體在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，其 SiC Diode 和 SiC MOSFET 產(chǎn)品成為此次展會(huì)的一大亮點(diǎn)。SiC 材料具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)頻率等優(yōu)異特性，滿足新能源汽車、可再生能源發(fā)電、工業(yè)電源等高功率、高效率應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
安邦半導(dǎo)體的 SiC Diode 采用了先進(jìn)的外延生長技術(shù)和器件制造工藝，具有高耐壓、低漏電、快速恢復(fù)等特點(diǎn)；SiC MOSFET 則在高頻開關(guān)性能和高功率密度方面表現(xiàn)出色，能夠大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。
在展會(huì)的演示環(huán)節(jié)，安邦半導(dǎo)體展示了 SiC MOSFET 在電動(dòng)汽車逆變器中的應(yīng)用案例，與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比，系統(tǒng)效率提升了 15%以上，體積和重量顯著減小。
IGBT 產(chǎn)品升級(jí)?
安邦半導(dǎo)體的 IGBT 產(chǎn)品也在不斷升級(jí)優(yōu)化。新一代 IGBT 采用了場(chǎng)截止（Field Stop）技術(shù)，具備更低的導(dǎo)通壓降、更高的開關(guān)速度和更強(qiáng)的短路耐受能力。這些特性使得 IGBT 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、太陽能逆變器等應(yīng)用中能夠更好地適應(yīng)高功率、高效率、高可靠性的要求。在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，安邦半導(dǎo)體展示了其 IGBT 模塊在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用，通過精確的控制和優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了電機(jī)的高效運(yùn)行和節(jié)能降耗，為客戶提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。
FRED（快速恢復(fù)外延二極管）技術(shù)拓展
安邦半導(dǎo)體進(jìn)一步拓展了 FRED 技術(shù)的應(yīng)用范圍，推出了多款高性能 FRED 產(chǎn)品。這些 FRED 二極管具有快速恢復(fù)時(shí)間、低反向恢復(fù)電荷和高耐壓等優(yōu)點(diǎn)，能夠有效降低開關(guān)損耗，提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。在高頻開關(guān)電源、逆變器等應(yīng)用中，F(xiàn)RED 二極管能夠與 MOSFET 等開關(guān)器件完美配合，實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
安邦半導(dǎo)體在 PCIM Europe 2025 展會(huì)上展示的新技術(shù)成果，源自在研發(fā)、制造和質(zhì)量控制等方面的強(qiáng)大實(shí)力支撐。擁有高素質(zhì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，涵蓋了半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、材料科學(xué)、工藝工程等多個(gè)領(lǐng)域的專業(yè)人才。緊跟行業(yè)前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，不斷投入研發(fā)資源，致力于為客戶提供更具創(chuàng)新性和競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品解決方案。
在制造環(huán)節(jié)，導(dǎo)入了先進(jìn)的人工智能化生產(chǎn)設(shè)備和完善的生產(chǎn)管理體系，確保產(chǎn)品的高質(zhì)量和高一致性。同時(shí)，還建立了嚴(yán)格的車規(guī)質(zhì)量檢測(cè)和可靠性驗(yàn)證流程，從原材料采購到成品出廠，每一個(gè)環(huán)節(jié)都經(jīng)過嚴(yán)格把控，保證了產(chǎn)品的卓越品質(zhì)。
在 PCIM Europe 2025 展會(huì)期間，安邦半導(dǎo)體積極與眾多行業(yè)伙伴進(jìn)行了交流與合作洽談。通過與上下游產(chǎn)業(yè)的深度合作，安邦半導(dǎo)體將進(jìn)一步拓展其產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)半導(dǎo)體分立器件技術(shù)的廣泛應(yīng)用。同時(shí)也與科研機(jī)構(gòu)、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)等開展產(chǎn)學(xué)研合作，共同攻克技術(shù)難題，培養(yǎng)專業(yè)人才，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
總之，安邦半導(dǎo)體在 PCIM Europe 2025 展會(huì)上的精彩表現(xiàn)，充分展示了其在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力。未來，安邦半導(dǎo)體將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、高效、可靠”的發(fā)展理念，不斷加大研發(fā)投入，持續(xù)推出更多高性能、高附加值的產(chǎn)品，攜手行業(yè)伙伴，共同開創(chuàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的美好未來。
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下屆展會(huì)時(shí)間：2026年06月09號(hào)~06月11號(hào)
展會(huì)行業(yè)：電子
